特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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助力硬科技创新发展：央行出台政策加强对初创期科技型企业融资支持

北京讯（记者 张皓）为贯彻落实国家创新驱动发展战略，大力支持科技创新企业发展，中国人民银行近日印发《关于加强对初创期科技型企业融资支持的意见》，从多方面举措入手，着力解决初创期科技型企业融资难题，助力硬科技创新发展。

政策亮点：投早、投小、投硬科技

《意见》明确提出，要强化金融支持科技创新的导向性，激励金融机构加大对初创期科技型企业的投放力度，重点支持“投早、投小、投硬科技”。

具体措施：

• 设立科技创新和技术改造再贷款专项额度。 2024年4月，中国人民银行联合科技部等部门设立5000亿元科技创新和技术改造再贷款，其中1000亿元额度专门用于支持初创期、成长期科技型中小企业首次贷款。
• 优化创新积分评价指标。 中国人民银行与科技部依托“创新积分制”评价，遴选了一批符合条件的企业，向银行推送。首批近7000家企业名单已推送给21家全国性银行，首笔科技创新贷款已发放。
• 强化政银企对接。 中国人民银行将加强与科技部等部门的协同配合，组织银企对接活动，帮助企业了解政策、对接金融机构。

政策意义：

《意见》的出台，将为初创期科技型企业提供更加便利的融资渠道，助力企业做大做强。

业内人士表示，《意见》的实施，将有效缓解初创期科技型企业的融资困境，激发科技创新活力，为推动经济高质量发展注入强劲动力。

**下一步，**中国人民银行将继续完善相关政策措施，加大对科技创新企业的金融支持力度，为科技创新发展营造更加良好的金融环境。